Icosahedron  Helmut Werheit | Prof. Dr. rer. nat website:   http://www.werheit.mynetcologne.de/
e-mail:   helmut.werheit@koeln.de
  helmut.werheit@uni.duisburg-essen.de
Home Specimen Overview Research Structures Thermoelectricity Recent Results Publist ISBB Int.Sci.Com. CV Contact
Probenmaterial Überblick Forschung Strukturen Thermoelektr. Neuere Ergebn. Publikationen

 

Forschungsobjekte:

 
Halbleiter- und Festkörpereigenschaften 
von 
Bor und borreichen Boriden

 

Ziel der Untersuchungen ist die Aufklärung der Wechselbeziehung zwischen elektronischen und strukturellen Eigenschaften von Festkörpern mit komplexen Strukturen am Beispiel der borreichen Festkörper.
 
Für einige borreiche Festkörper mit Ikosaederstruktur beta-rhomboedrisches Bor, Borcarbid) konnte die quantitative Übereinstimmung zwischen der Konzentration von Strukturdefekten und abgespaltenen Valenzbandzuständen nachgewiesen werden, welche in der verbotenen Zone dieser Halbleiter angesiedelt sind und bekanntermaßen die elektronischen Eigenschaften stark beeinflussen.

Untersuchte Festkörper:

Bor (elementar): alpha-rhomboedrisch, beta-rhomboedrisch, amorph
Borcarbid: gesamter Homogenitätsbereich von B 4.3C bis B~11C
Strukturgruppe des alpha-rhomboedrischen Bors
Strukturgruppe des beta-rhomboedrischen Bors
Strukturgruppe des alpha-tetragonalen Bors
Strukturgruppe des beta-tetragonalen Bors
Strukturgruppe der Kristalle des Typs MgAl B 14
Strukturgruppe der Kristalle des Typs YB66
Metalhexaboride (metallisch, halbleitend, intermediäre Valenz)
Metall-Dodecaboride

Optische Eigenschaften:

        Interbandübergänge
        Störstellen- und Leerstellenübergänge
        Phononen
        Plasma schwingungen
        Lumineszenz
Elektronische Transporteigenschaften:
Elektrische Leitfähigkeit
Dynamische leitfähigkeit
Hall-Effekt
Thermoelectrische Eigenschaften
Photoleitfähigkeit
 Diffusion and Drift optisch generierter Ladungsträger  

 

Strukturelle Eigenschaften:

Aufklärung struktureller Details, die sich wegen ihres statistischen Characters der Aufklärung durch Röntgen- und NMR-Methoden entziehen. Hierbei handelt es sich insbesondere um die Verteilung der atomaren Komponenten und der Defekte in Borverbindungen.
An RE-Metall-Dodecaboriden wurde nachgewiesen, dass Bor-Leerstellen, geringe Verschiebungen der Metall-Atome aus der Idealposition und sogar die Verteilung der Borisotope in natürlich angereichertem Bor zu einer Verletzung der Auswahlregeln führt, die stark genug ist, um sie mit der Raman-Spektroskopie nachzuweisen [136].
 

     Untersuchungen an SiC:

Untersuchung der Eigenschaften von monokristallinem und gesintertem SiC